英飞凌推出了全新的IGBT7，引起了广泛关注IGBT模块，IGBT驱动板，IPM模块，高低压可控硅，晶闸管，电源模块，功率模块，变频器，伺服电机，伺服驱动器，步进电机，变频器主板，单三相整流桥，刀型/插式熔断器，半导体二极管，电容器.PLC模块.电磁阀，控制器

摘要

本文介绍了针对电机驱动进行优化的全新1200 V IGBT和二极管技术。该IGBT结构基于全新微沟槽技术，与标准技术相比，可大幅减少静态损耗，并具备高可控性。而二极管因为优化了场截止设计，其振荡发生的可能性大幅降低。在功率模块中，IGBT和二极管的出色性能可带来更高的电流密度和更大的输出电流。不仅如此，通过将功率模块的最高结温提升到175 °C，输出电流可增加50%以上。