铜芯聚氯乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜丝编织屏蔽电力电缆技术规范书

一﹑海南12芯铠装单模光缆GYTY53-12B1保电阻产品用途

本产品适用于U0/U 0.6/1KV电力线路输配电用。

二﹑执行标准

标准：GB/T12706-2008

三、海南12芯铠装单模光缆GYTY53-12B1保电阻使用特性

1.电缆长期使用温度：-40～70℃

2.环境温度：固定敷设-40℃非固定敷设-15℃。

3.电缆敷设温度：   不低于0℃

4.弯曲半径应不小于电缆直径的10倍。

四、海南12芯铠装单模光缆GYTY53-12B1保电阻型号、名称及用途

型号：VVRP

名称：铜芯聚氯乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜丝编织屏蔽电力电缆

用途：U0/U 0.6/1KV电力线路输配电用

五、产品主要技术指标

六、电缆规格

七﹑海南12芯铠装单模光缆GYTY53-12B1保电阻电缆结构图

1------------------------------------------------------------铜导体

2------------------------------------------------------------聚氯乙烯绝缘

4------------------------------------------------------------铜丝编织屏蔽

5------------------------------------------------------------聚氯乙烯护套牵入曲线包围的区域称为自起动区域。电机同步进行正反转起动运行，在牵入与失步区域之间为运转区，电机在此区域内可带相应负载同步连续运行，超出范围的负载转矩将不能连续运行，出现失步现象。步进电机为开环驱动控制，其负载转矩与电磁转矩之间要有裕度，其值应为50%~80%。失步转矩与牵入转矩在0pps时相等。随着控制脉冲频率的增加，带负载能力会下降。在运行开始，控制脉冲频率应缓慢增加，以便利用低速下的大转矩，提供电机在低速运行时需要的加速转矩，减少加速时间。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM安装于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微处理器。

威县MSLYFYVZ-75-9煤矿用泄露同轴电缆