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| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 美国PlasmaStar | ||
| 规格 | 100mm | ||
| 外形尺寸 | 100mm | ||
| 显示方式 | 7英寸大液晶触摸屏 | ||
| 输入功率 | 300W | ||
| 毛重 | 120kg | ||
| 传感器类型 | 电感式 | ||
| 发货地 | 武汉 | ||
| 产地 | 美国(原装进口) | ||
| 起订量 | 1套起批 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | PlasmaStar100/100RIE | ||
一、反应离子刻蚀机PlasmaStar 100仪器介绍
1、腔体尺寸：直径≥200mm，深度≥280mm；
2、腔体材质：硬质阳极氧化铝矩形腔体；
3、处理腔背面材质：铝；
4、处理腔门：要求全自动腔门；
5、两路工艺气体，≥2路质量流量控制器控制气体流量，气体输入腔室带匀流设计；
6、射频功率：0~600W连续可调，13.56MHz，自动匹配，自然风冷；
7、配备RIE平面水冷平板电极；
8、7英寸及以上显示器、触摸屏、图形用户界面；?
9、程序控制：触摸屏电脑控制，无线程序存储；
10、Windows操作系统，兼容Windows office软件，USB接口，可进行外部电脑远程控制的功能；
11、状态和出错信息提示，过程数据和出错信息存储，可选择自动和手动操作模式，过程数据可以导出，工艺参数以图形方式呈现，可实时监控，自动实现泄露检测；
12、配套紧急急停按钮（EMO)，配套电路断路器，机械联锁（门传感器）和真空联锁（压力开关），通过软件可进行远程的真空联锁；
13、典型的光刻胶刻蚀速率：80nm/min；
14、典型工艺均匀性：≥±10；
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