光刻胶AZ胶正胶负胶AZ5214EAZ5200EAZ4562AZ1500系列
光刻胶AZ胶正胶负胶AZ5214EAZ5200EAZ4562AZ1500系列
产品价格:¥4200.00(人民币)
  • 规格:AZ5214E(25cp)125ml\/瓶
  • 发货地:江苏苏州
  • 品牌:
  • 最小起订量:1
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    企业证件:通过认证

    商铺名称:武汉迈可诺科技有限公司

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    商品详情
      产品参数
      品牌默克
      产品名称AZ胶 光刻胶 AZ5214E AZ5200E AZ4562 AZ1500系列
      产品规格125ml、250ml、500ml
      用途范围适用于高分辨率工艺
      是否进口
      加工定制
      包装规格1kg
      容量125ml、250ml、500ml
      可售卖地北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽;福建;江西;山东;河南;湖北;湖南;广东;广西;海南;重庆;四川;贵州;云南;西藏;陕西;甘肃;青海;宁夏
      型号AZ5214E AZ5200E AZ4562 AZ1500

      AZ5214E高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶,特别为lift-off工艺优化。AZ5214E匀胶厚度1.5μm~3μm,AZ5200E系列匀胶厚度为:0.5μm~6μm。

      AZ5214E特征:

      1) 适用于高分辨率工艺(lift-off工艺);

      2) 适用于正/负图形;

      3) 很宽的膜厚范围。

      AZ 5200E系列光刻胶参考工艺条件:

      前烘?:100℃ 60秒 (DHP);

      曝光?:I线步进式曝光机/接触式曝光机;

      反转烘烤?:110~125℃ 90秒 (DHP):去离子水30秒;

      全面曝光?:310~405nm

      ?(在曝光光源下全面照射);

      显影?:AZ300MIF (2.38) 23℃ 30~60秒Puddle;

      ? ? ? ? :AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping;

      ? ? ? ? :AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping;

      清洗?:去离子水30秒;

      后烘?:120℃ 120秒 (DHP);

      剥离?:AZ剥离液及/或氧等离子体灰化;

      产品型号:

      型号

      AZ5206E

      AZ5214E

      AZ5218E

      AZ5200NJ

      粘性

      7mPa

      25mPa

      40mPa

      85mPa

      ?

      AZP4620超厚膜,高对比度,高感光度G线标准正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。

      特征:

      1) 高对比度,高感光度

      2) 高附着性,对电镀工艺高耐受性

      3) 多种粘度可供选择

      参考工艺条件:

      前烘?:100℃ 90秒以上 (DHP)

      曝光?:G线步进式曝光机/接触式曝光系统

      显影?:AZ300MIF显影液23℃ 60~300秒

      清洗?:去离子水

      后烘?:120℃ 60秒以上

      剥离?:AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

      产品型号:

      型号

      AZ P4210

      AZ P4330

      AZ P4400

      AZ P4620

      AZ P4903

      粘性

      49mPa

      115mPa

      160mPa

      400mPa

      1550mPa

      ?

      AZ?4500系列??AZ4562

      具有最佳粘附力的厚光刻胶

      特点:

      AZ???4500系列AZ???4533AZ???4562)是正性厚光刻胶,在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有优良的粘附性能:

      l??优化对所有常见基材的附着力

      l??宽广的工艺参数窗口,可实现稳定且可重复的光刻工艺

      l??与所有常见的显影液兼容(基于KOH或TMAH)

      l??与所有常见的去胶剂兼容(例如AZ100去胶剂、有机溶剂或碱性溶剂)

      l??对g,h和i线敏感(约320-440 nm)

      l??光刻胶厚度范围约?3-30微米

      ?

      AZ???4500系列AZ???4533AZ???4562)的溶剂浓度不同,因此可达到的光刻胶膜厚有较大的范围:

      光刻胶型号

      光刻胶膜厚范围

      包装规格

      AZ???4533

      转速为4000 rpm时,膜厚约为3.3 μm;通过改变转速,膜后可达2.5-5 μm。

      多规格包装,如1L、2.5L等

      AZ???4562

      转速为4000 rpm时,膜厚约为3.3 μm;通过改变转速,膜后可达4.5-10 μm;调整旋转轮廓(中等旋涂速度下短时间旋涂),可达30 μm膜厚。

      多规格包装,如1L、2.5L等


      若光刻胶膜厚度 30 μm?

      通常,AZ?4562可以用来涂覆厚度达30微米及以上。然而,在该厚度范围内,软烘烤、曝光、显影等变得非常耗时。此外,如果涂得太厚,AZ?4562也可能在曝光期间形成N2气泡。 因此,对于厚度大于30 μm的光刻胶膜厚度,强烈建议使用化学放大的AZ?40 XT光刻胶。

      显影液——适用于AZ???4500光刻胶

      如果可以使用含金属离子的显影液,可使用1:4稀释的KOH基AZ?400K作为显影液(对于更高的光刻胶膜厚度,可用1:3.5 - 1:1的稀释浓度)。

      如果必须使用不含金属离子的显影液,我们建议使用基于TMAH基的AZ?326 MIF,AZ?726 MIF或AZ?826 MIF显影剂(未稀释)。

      ?

      去胶剂——适用于AZ???4500光刻胶

      对于非交联的光刻胶薄膜,可以使用AZ?100作为去胶剂,DMSO或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。 如果光刻胶膜已交联(例如,在干法蚀刻等离子工艺或离子注入时,> 140°C的高温步骤时),我们建议使用不含NMP的TechniStrip P1316作为去胶剂。


      EM胶

      电子束光刻胶

      型号

      光源

      类型

      分辨率

      厚度(um)

      适用范围

      SU-8 GM1010

      电子束

      负性

      100nm

      0.1-0.2

      可用于做高宽比较大的纳米结构。

      HSQ
      XR-1541-002/004/006

      电子束

      负性

      6nm

      30nm~180nm

      分辨率最好的光刻胶,抗刻蚀。

      HSQ Fox-15/16

      电子束

      负性

      100nm

      350nm~810nm

      分辨率最好的光刻胶,抗刻蚀。

      PMMA(国产)

      电子束

      正性

      高分辨率,适用于各种电子束光刻工艺,最常用的电子束光刻正胶。

      PMMA(进口)

      电子束

      正性

      MicroChem,各种分子量,适用于各种电子束光刻工艺,最常用的电子束光刻正胶。


      PMGI&LOR Lift-off光刻胶<

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