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品牌：德国 PAPST
型号：TYP 7855 S
尺寸:172x150x55MM
电压:230V 50/60Hz
功率：39/37W
风扇框架：黑烤漆铝合金压铸防腐
风叶：全金属扇叶
风扇旋向：从扇叶方向看为逆时针运行
马达：罩极马达
温度：－40摄氏度到＋75摄氏度
贮存温度：－50摄氏度到＋90摄氏度
轴承：高精度双滚珠轴承
电源范围：额定电源的正负15％
绝缘电阻：大于500兆欧
耐电压：汇漏电流0.5ｍＡ 500Ｖ／1分钟
工作寿命：环境温度25度时80000小时
功函数
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中文名功函数外文名work function表达式J=ATe应用学科电子学
基本简介
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简述
LED日光灯驱动电源
功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。金属的功函数表示为一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱，功函数越大，电子越不容易离开金属。金属的功函数约为几个电子伏特。铯的功函最低，为1.93ev；铂的最高，为5.36ev。功函数的值与表面状况有关，随着原子序数的递增，功函数也呈现周期性变化。在半导体中，导带底和价带顶一般都比金属最小电子逸出能低。要使电子从半导体逸出，也必须给它以相应的能量。与金属不同，半导体的功函和掺杂浓度有关。
可以简单的理解为物体拥有或者抓获电子的能力。
金属相关
单位:电子伏特,eV
金属
功函数
金属
功函数
金属
功函数
金属
功函数
金属
功函数
金属
功函数
Ag
4.26
Al
4.28
As
3.75
Au
5.1
B
4.45
Ba
2.7
Be
4.98
Bi
4.22
C
5
Ca
2.87
Cd
4.22
Ce
2.9
Co
5
Cr
4.5
Cs
2.14
Cu
4.65
Eu
2.5
Fe
4.5
Ga
4.2
Ge
3.1
Hf
3.9
Hg
4.49
In
4.12
Ir
5.27
K
2.3
La
3.5
Li
2.9
Lu
3.3
Mg
3.66
Mn
4.1
Mo
4.6
Na
2.75
Nb
4.3
Nd
3.2
Ni
5.15
Os
4.83
Pb
4.25
Pt
5.65
Rb
2.16
Re
4.96
Rh
4.98
Ru
4.71
Sb
4.55
Sc
3.5
Se
5.9
Si
4.85
Sm
2.7
Sn
4.42
Sr
2.59
Ta
4.25
Tb
3
Te
4.95
Th
3.4
Ti
4.33
Tl
3.84
U
3.63
V
4.3
W
4.55
Y
3.1
Zn
4.33
效应
金属的功函数W与它的费米能级密切相关但两者并不相等。这是因为真实世界中的固体具有表面效应：真实世界的固体并不是电子和离子的无限延伸重复排满整个布拉菲格子的每一个原胞。没有任何一者能仅仅位于一系列布拉菲格点在固体占据且充满了非扭曲电荷分布基至所有原胞的几何区域V。的确，那些原胞中靠近表面的电荷分布将会与理想无限固体相比被显著的扭曲，导致一个有效表面偶极子分布，或者，有些时候同时有表面偶极子分布和表面电荷分布。
能够证明如果我们定义功函数为把电子从固体中立即移出到一点所需的最小能量，但是表面电荷分布的效应能够忽略，仅仅留下表面偶极子分布。如果定义带来表面两端势能差的有效表面偶极子为。且定义从不考虑表面扭曲效应的有限固体计算出的为费米能，当按惯例位于的势为零。那么，正确的功函数公式为：
其中是负的，表明电子在固体中富集。
光电功函数
光电功函数为
φ =hf0， 其中h是普朗克常数而f0是能产生光电发射光子的最小(阈值)频率。当电子获得能量时，它从一个能级以「量子跃迁」的方式跳到另一个能级。这一过程称为电子的激发，其中较高能级称为「激发态」而较低能级称作「基态」。
热功函
功函数在热发射理论中也同等重要。这里电子从热而非光子中获得能量。在这种情况下，即电子从加热的充满负电的真空管灯丝逃逸的情况下，功函数可被称作热功函。钨是真空管中常见的金属元素，它的功函数大约是4.5eV。
热发射要求有灯丝加热电流(if)，来保持2000-2700K的温度。一旦达到灯丝电流的饱和态，则灯丝电流的小改变不再影响电子束电流。电子枪被提供一个非常靠近克服功函数(W)所需势的灯丝电流(Goldstein, 2003)。热功函取决于晶体取向而且趋向于对开放晶格的金属更小，对于原子紧密堆积的金属更大。范围大概是1.5–6 eV。某种程度上稠密晶面比开放晶格金属更高。
应用
测量
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概述
很多基于不同物理效应的技术被发展出来来测量样品的电学功函数。可以区分出两类功函数测量的试验方法：绝对测量和相对测量。
光发射
光电发射光谱学(PES)是基于外光电效应的光谱学技术术语。对于紫外光电子光谱学(UPS)，固体样品的表面被用紫外(UV)光激发然后发射电子的动能得到分析。因为紫外光是能量hν低于100eV的电磁辐射，它能够只抓出价电子。因为固体中电子逃逸深度的限制紫外光电子光谱对表面非常敏感，因为信息深度的范围为2 – 3个单层。同时测量原理限制了光电发射光谱学被用于UHV情形。得到的光谱通过提供态密度、占据态及功函数等信息反应了样品电子结构。
