1.首先以分析纯试剂采用直接沉淀法制备氧化镁，探索操作条件对氧化镁绝缘性能的影响，如反应温度、反应时间、氨溶液浓度、分散剂种类和分散剂添加量。对所得氧化镁进行了XRD、粒度分布表征和体积电阻率的测定。研究结果表明，氧化镁绝缘性能与其结晶度无关，与其粒度分布有关。粒度分布越窄且颗粒尺寸越小，绝缘性能越好。http://www.xtmshg.com/

2.为了获得粒度分布窄的氧化镁，在直接沉淀法实验结果基础上，探索采用均匀沉淀法制备氧化镁，以改善的粒度分布和粒径。探讨了煅烧温度和煅烧时间对氧化镁绝缘性能的影响。研究结果表明，均匀沉淀法有效地减小了氧化镁的粒度分布宽度。通过分析PL图谱及体积电阻率的测量结果，认为氧化镁的绝缘性能与氧化镁晶体内部肖特基缺陷水平无关。