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南麟NP3415 p 沟道增强型MOSFET
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描述 NP3415E采用先进的沟槽技术 为了提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和 以低至1.8V的栅极电压工作。这 器件适合用作负载开关或用于PWM 应用程序。 一般特征 ? VDS =-20V，ID =-4A RDS(开)(典型值。)= 42mω@ VGS =-2.5V RDS(开)(典型值。)= 38.3mω@ VGS =-4.5V ?高功率和电流处理能力 收购?无铅产品 ?表面贴装封装 ? ESD额定值:2500伏HBM 应用 ? PWM应用 ?负荷开关
