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NP1216DR-G南麟12V P沟道增强型MOSFET
NP1216DR-G南麟12V P沟道增强型MOSFET
NP1216DR-G南麟12V P沟道增强型MOSFET
描述
NP1216DR采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS（ON）
一般特征
、低栅极电荷和
栅极电压低至1.8V时运行。这
该装置适合用作负载开关或PWM
应用。? VDS=-12V，ID
R=-16A
DS（ON）（典型值）=18米? @VGS
R=-2.5V
DS（开）（典型值）=13m? @VGS
? 高功率和电流处理能力
=-4.5V
? 获得无铅产品
? 表面贴装封装
应用
? PWM应用
? 负荷开关
包裹
? DFN2*2-6L-B
NP1216DR-G南麟12V P沟道增强型MOSFET
