4英寸碳化硅晶锭工厂 N型SiC衬底晶片厂家

苏州恒迈瑞材料供应4英寸碳化硅晶锭，包含导电型和半绝缘型碳化硅晶锭。单个碳化硅晶锭平均厚度20mm，可用于设备切割测试或后道切磨抛。碳化硅材料用于肖特基二极管（SBD），金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）,结型场效应晶体管（JFET）和双极结型晶体管（BJT）的制作。这些电子电力器件可广泛应用于太阳能逆变器，风力发电，混合动力及电动汽车等绿色能源和节能系统。

碳化硅衬底片主要分为导电型和半绝缘型，导电型SiC碳化硅衬底以n型碳化硅衬底为主，主要用于外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件等，半绝缘型碳化硅衬底片主要用于外延制造GaN高功率射频器件。高纯半绝缘HPSI与SI半绝缘是有区别的，高纯半绝缘载流子浓度3.5*10¹³~8*10¹⁵/cm³范围，具有较高的电子迁移率；半绝缘是高阻材料，电阻率很高，一般用于微波器件衬底，不导电。