D mode HEMT硅基氮化镓外延片生产商 4英寸

苏州恒迈瑞材料科技作为氮化镓外延片厂家，可提供4英寸-8英寸硅基氮化镓外延片定制，用于电子电力HEMT及RF射频高电子迁移率晶体管。GaN on Si氮化镓外延片可分为D MODE结构E MODE结构和RF结构。除此之外我司还提供碳化硅基氮化镓外延片及蓝宝石基氮化镓外延片，LED氮化镓外延片定制生产，详细需求请联系我司。

第三代半导体材料GaN由于具有众多优异的物理特性，非常适合制备高温、高频、大功率电子器件，具有很好的应用前景。由于缺乏优质的GaN同质衬底，而硅基氮化镓衬底具备尺寸大、高性价比等优点，使得其成为适合商用GaN功率器件生长的理想衬底。目前，采用Si硅上生长GaN氮化镓材料这一技术路线制备功率电子器件，已经成为业界的共识。苏州恒迈瑞材料科技供应的2英寸到8英寸的硅基氮化镓外延片能够满足650V功率器件的要求。