4英寸硅基氮化镓外延片生产商GaN-on-Si Power HEMT
4英寸硅基氮化镓外延片生产商GaN-on-Si Power HEMT
产品价格:(人民币)
  • 规格:4英寸
  • 发货地:江苏苏州市
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  • 最小起订量:1片
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    会员级别:试用会员
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    企业证件:通过认证

    商铺名称:苏州恒迈瑞材料科技有限公司

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      4英寸硅基氮化镓外延片生产商GaN-on-Si Power HEMT

      苏州恒迈瑞公司生产供应4英寸硅基氮化镓外延片及4英寸碳化硅基氮化镓外延片。硅基氮化镓外延片可应用于D-mode/E-mode/RF-HEMT,硅基衬底厚度675-1000 μm。碳化硅基氮化镓外延片RF HMET结构应用于微波电子器件,产品尺寸为4英寸-6英寸,碳化硅衬底为4H-SiC晶型,衬底厚度500um。氮化镓缓冲层厚度1.8um,氮化铝间隔层1nm。

      同时我司也提供蓝宝石基氮化镓外延片,LED氮化镓外延片。

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