一级代理EN25F10-100GIP

EON（宜扬） SPI NFLASH命名规则：
EN25F 10 - 100 G I P

1EN25F10-100GIP参数: <1>工作电压：2.7-3.6V 或者 3.0-3.6V 读和写操作； <2>内部结构：4线串行接口结构； <3>读操作：具有wrap-around特点的连续字节读操作； <4>功耗：工作:12mA(典型),待机:1uA(典型)； <5>擦除能力 : 4KByte统一Sector-Erase,32Kbyte； 擦除时间：Sector-Erase90ms(典型)或者Block-Erase: 400ms(典型)； <6>字节编程：1.3ms(典型)； <7>最大操作时钟频率可达100MHz； <8>通过WP#引脚可实现硬件写保护； <9>封装: SOIC8 150mil <10>温度范围: C= 0°C to + 70°C I= -40°C to + 85°C； <11>材质: F=non-Pb；以上参数仅供参考，具体资料请到宜扬（cfeon)官方网站查询：http://www.eonssi.com/ 也可以直接联系本公司查询。 EON（宜扬） SPI NFLASH命名规则： EN25F 10 - 100 G I P 1 2 3 4 5 6 （1）相应的型号：25F:SPI Flash 串口闪存（2）密度：10=1M；20=2M；40=4M；80=8M; 16=16M; 32=32M （3）速度：100=100MHz; 75=75MHz （4）封装：H：8针200mil SOP 封装； Q：8-引脚 PDIP ； G：8-引脚 150mil sop封装 （5）温度：C：商业级（0℃-70℃）I：工业级（-40℃-85℃）（6）P：无铅